MOSAID将展示生产就绪的256GB HLNAND闪存设备

　　Marketwire 2011年7月21日安大略省渥太华消息电/明通新闻专线/--

　　MOSAID Technologies公司(多伦多证券交易所股票代码：MSD)今天宣布，公司已设计出生产就绪的256GB HLNAND (TM)(HyperLink NAND)闪存半导体芯片。这种高速、高密度256GB MLC(多级单元)HLNAND MCP(多芯片封装)针对包括企业级数据中心和高性能计算应用在内的大规模存储应用进行了优化。

　　MOSAID研发副总裁Jin-Ki Kim表示：“我们的256GB HLNAND闪存设备是市场上速度最快、密度最高、性能最好的闪存设备之一。我们打算通过展示生产就绪的256GB HLNAND设备样品来说明HLNAND是能够以成本高效、灵活和高产量方式来生产的。我们看到，市场对HLNAND有着极大的兴趣，因为其是高性能、点对点的界面，适合大内存配置，同时不会降低带宽”。

　　为云提供动力的闪存

　　云计算服务是企业IT投资领域中增长最快的一个。Gartner发表的一份报告预计，到2012年大型企业都将配备动态云采集团队。云计算需要企业存储架构有足够灵活性，以适应弹性的数据中心供应，同时依然提供企业用户所期望的高性能。随着云计算的兴起，市场对更高性能闪存设备的需求日益增长，比如MOSAID的HLNAND以及能够显著改善企业IT环境的固态硬盘(SSD)等。

　　HLNAND 256GB闪存设备被封装成由9个芯片构成的MCP——其中有8个行业标准的NAND闪存芯片和一个MOSAID专有ASIC接口芯片。这种设计支持单片32GB MLC Toggle Mode或均匀分布在四Bank中的32GB MLC传统异步NAND闪存芯片。接口芯片包含外接的高速超链接接口，自动和独立控制每个闪存Bank。该设计支持错误检测代码(EDC)功能，以消除“指令分组”中的位错误，确保指令通信和寄存器数据的可靠性和无差错。该设备提供用户可配置的虚拟页面，可使用不同深度页面选择，2048B、4096B、8192B和包括额外比特的全页面读取。

　　生产及供货

　　MOSAID已选择台积电为其制造生产就绪的HLNAND接口芯片样品。HLNAND接口芯片的高度灵活设计，可支持不同工艺节点和接口，可同时支持Toggle Mode和传统的异步NAND闪存芯片。

　　HLNAND2样品即将面世

　　MOSAID计划在2011年底推出基于HLNAND2规格的样品芯片。HLNAND2利用高速、点对点环形拓扑结构，使数据传输速率达到多G每秒范围，推动了SSD的发展。HLNAND2支持每通道最高800MB/秒的原始数据速率和基于DuplexRW(TM)的每通道1600MB/秒数据传输速率，只需要一个内存通道就可使主机接口传输速率超过1GB/秒。相比之下，基于并行总线结构的NAND闪存接口的传输速率限制在最多200MB/秒，而且只有少数设备支持每个通道。

　　MOSAID将于8月9至11日在加利福尼亚州圣克拉拉举行的2011年闪存峰会上，展示其HLNAND技术。

　　可根据要求提供高清晰图片和相关文件。

　　关于HyperLink(HL)NAND闪存

　　作为20年来首个重大的闪存架构和设备接口发展成就，HLNAND闪存结合了MOSAID自己的HyperLink内存技术与行业标准的NAND闪存单元技术，提供了业内最先进的功能集，达到超过传统闪存10倍的持续I/O带宽，是一种高性能解决方案。

　　关于MOSAID

　　MOSAID Technologies公司是全球领先的知识产权公司之一。MOSAID专业从事半导体和电信系统领域专利知识产权的许可以及半导体存储技术的开发。MOSAID的被许可方中有很多为全球最大的科技公司。MOSAID成立于1975年，在安大略省渥太华和德州普拉诺设有机构。